Back Transistor bipolar d'heterounió Catalan Heterojunction bipolar transistor English Transistor bipolar de heterounión Spanish ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون Persian HBT Japanese HBT Polish Heterojunction bipolar transistor SIMPLE 异质结双极性晶体管 Chinese
Der Heterojunction Bipolar Transistor (engl., HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw. Kollektormaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT). Der HBT weist durch seine Heterostruktur eine sehr hohe Transitfrequenz auf und findet daher vor allem in Hochfrequenzschaltungen wie beispielsweise Sendeverstärkern Anwendung.
Die Idee statt nur eines homogenen Halbleitermaterials unterschiedliche Materialien in einem Transistor einzusetzen geht auf William Shockley aus 1951 zurück.[1] Die theoretische Ausarbeitung und Funktionsbeschreibung des Heteroübergangs-Bipolartransistors wurde 1957 von Herbert Kroemer entwickelt, welcher für seine Arbeiten zu Heterostrukturen im Jahr 2000 den Nobelpreis für Physik erhielt.[2]